Unterschied zwischen p-Typ und n-Halbleiter
Die verschiedenen Faktoren wie Dopingelement, Naturdes Dotierungselements, der Majoritäts- und Minoritätsträger im p-Typ und im n-Typ Halbleiter. Die Dichte von Elektronen und Löchern, das Energieniveau und das Fermi-Niveau, die Bewegungsrichtung der Majoritätsträger usw. werden bei der Erklärung des Unterschieds zwischen p-Typ- und n-Typ-Halbleitern berücksichtigt.
Der Unterschied zwischen einem Halbleiter vom p-Typ und einem Halbleiter vom n-Typ ist nachstehend in Tabellenform angegeben.
| BASIS DES UNTERSCHIEDS | p TYP-HALBLEITER | n TYP-HALBLEITER |
|---|---|---|
| Gruppe des Dopingelements | Im P-Typ wird ein Halbleiter-III-Gruppenelement als Dotierungselement hinzugefügt. | Im n-Typ wird ein Halbleiter-V-Gruppenelement als Dotierungselement hinzugefügt. |
| Natur des Dotierungselements | Die hinzugefügte Verunreinigung erzeugt Leerstellen von Elektronen (Löchern), die als Akzeptoratom bezeichnet werden. | Die hinzugefügte Verunreinigung liefert zusätzliche Elektronen und wird als Donor Atom bezeichnet. |
| Art der Verunreinigung hinzugefügt | Dreiwertige Verunreinigungen wie Al, Ga, In usw. werden zugegeben. | Pentavalente Verunreinigungen wie P, As, Sb, Bi usw. werden hinzugefügt. |
| Mehrheitsführer | Löcher sind Mehrheitsträger | Elektronen sind Mehrheitsträger |
| Minderheitsträger | Elektronen sind Minderheitsträger | Löcher sind Minderheitsträger |
| Dichte von Elektronen und Löchern | Die Lochdichte ist viel größer als die Elektronendichte. nh >> ne | Die Elektronendichte ist viel größer als die Lochdichte. ne >> nh |
| Energielevel | Das Energieniveau des Akzeptors liegt nahe am Valenzband und vom Leitungsband entfernt. | Das Donator-Energieniveau liegt nahe am Leitungsband und vom Valenzband entfernt. |
| Fermi-Ebene | Das Fermi-Niveau liegt zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband. | Das Fermi-Niveau liegt zwischen dem Donator-Energieniveau und dem Leitungsband. |
| Bewegung der Mehrheitsführer | Die Mehrheitsträger bewegen sich von einem höheren zu einem niedrigeren Potenzial. | Die Mehrheitsträger bewegen sich von einem niedrigeren zu einem höheren Potenzial. |
Der p-Halbleiter wird gebildet, wenn dieDem reinen Halbleiter wird eine dreiwertige Verunreinigung zugesetzt. In ähnlicher Weise erhält man, wenn eine pentavalente Verunreinigung dem reinen Halbleiter vom n-Typ hinzugefügt wird.
Unterschied zwischen p-Typ und n-Typ Halbleiter
- In einem Halbleiter vom p-Typ wird das III-Gruppenelement des Periodensystems als Dotierungselement hinzugefügt, während in n-Typ das V-Gruppenelement das Dotierungselement ist.
- Dreiwertige Verunreinigung wie Aluminium, Gallium undIndium wird im Halbleiter vom p-Typ hinzugefügt, während in Pentavalent-Verunreinigungen vom n-Typ wie Arsen, Antimon, Phosphor, Wismut usw. hinzugefügt wird.
- Die in p-Halbleiter hinzugefügte Verunreinigung liefert zusätzliche Löcher, die als Akzeptoratom bekannt sind, während in n-Halbleiter Verunreinigung zusätzliche Elektronen bereitstellt und als Donoratom bezeichnet wird.
- In einem p-Halbleiter sind die Majoritätsträger Löcher und Minoritätsträger sind Elektronen. In dem Halbleiter vom n-Typ sind Elektronen Majoritätsträger und Löcher sind Minoritätsträger.
- Die Elektronendichte ist viel größer als die Lochdichte in dem als n bezeichneten Halbleiter ne >> nh In Halbleitern vom p-Typ ist dagegen die Lochdichte viel größer als die Elektronendichte nh >> ne.
- In einem Halbleiter vom n-Typ ist der Donor-Energieniveauliegt nahe am Leitungsband und vom Valenzband entfernt. In dem Halbleiter vom p-Typ liegt der Akzeptornergiepegel nahe dem Valenzband und vom Leitungsband entfernt.
- Das Fermi-Niveau des n-Halbleiters liegtzwischen dem Donator-Energieniveau und dem Leitungsband, während das Fermi-Niveau des p-Halbleiters zwischen dem Akzeptorenergieniveau und dem Valenzband liegt.
- Majoritätsträger bewegen sich beim p-Typ von höherem auf niedrigeres Potential, wohingegen beim n-Typ die Majoritätsträger vom niedrigeren auf höheres Potential gehen.
