/ / / Διαφορά μεταξύ τύπου p και n τύπου ημιαγωγού

Διαφορά μεταξύ τύπου p και n τύπου ημιαγωγού

Οι διάφοροι παράγοντες όπως το ντόπινγκ στοιχείο, η φύσητου στοιχείου ντόπινγκ, των πλειοψηφιών και των μειονοτικών φορέων στον τύπο ρ και ημιαγωγού τύπου η. Η πυκνότητα των ηλεκτρονίων και των οπών, η ενεργειακή στάθμη και το επίπεδο Fermi, η κατεύθυνση της κίνησης των πλειοψηφικών φορέων κ.λπ. εξετάζονται για να εξηγηθεί η διαφορά μεταξύ ημιαγωγών τύπου ρ και τύπου η.

Η διαφορά μεταξύ ενός ημιαγωγού τύπου ρ και ενός ημιαγωγού τύπου η δίδεται κατωτέρω σε μορφή πίνακα.

ΒΑΣΗ ΤΗΣ ΔΙΑΦΟΡΑΣp ΣΗΜΕΙΟΠΟΙΗΤΗΣ ΤΥΠΟΥn ΤΥΠΟΣ ΣΕΜΙΝΑΡΙ
Ομάδα Doping ElementΣτο στοιχείο τύπου Η ημιαγωγού τύπου Ρ προστίθεται ως στοιχείο ντόπινγκ.Στο στοιχείο η ημιαγωγού τύπου V προστίθεται ως στοιχείο ντόπινγκ.
Φύση του Doping ElementΗ προσθήκη ακαθαρσιών δημιουργεί την κενή των ηλεκτρονίων (τρύπες) που ονομάζονται Acceptor Atom.Η πρόσμειξη προσμίξεων παρέχει επιπλέον ηλεκτρόνια και είναι γνωστή ως Donor Atom.
Προστέθηκε ο τύπος προσμείξεωνΠροστίθενται τρισθενή πρόσμειξη όπως Al, Ga, In κ.λπ.Πενταδύναμη πρόσμειξη όπως P, As, Sb, Bi, κλπ. Προστίθενται.
Μεταφορείς πλειοψηφίαςΟι τρύπες είναι φορείς πλειοψηφίαςΤα ηλεκτρόνια είναι φορείς πλειοψηφίας
Μεταφορείς μειονοτήτωνΤα ηλεκτρόνια είναι φορείς της μειονότηταςΟι τρύπες είναι φορείς της μειονότητας
Πυκνότητα ηλεκτρονίων και οπώνΗ πυκνότητα των οπών είναι πολύ μεγαλύτερη από την πυκνότητα των ηλεκτρονίων.
nh >> ne
Η πυκνότητα των ηλεκτρονίων είναι πολύ μεγαλύτερη από την πυκνότητα των οπών.
ne >> nh
Επίπεδο ενέργειαςΤο επίπεδο ενέργειας δέκτη είναι κοντά στη ζώνη σθένους και μακριά από τη ζώνη αγωγιμότητας.Το επίπεδο ενέργειας του δότη είναι κοντά στη ζώνη αγωγιμότητας και μακριά από τη ζώνη σθένους.
Επίπεδο FermiΤο επίπεδο Fermi βρίσκεται μεταξύ του επιπέδου ενέργειας του δέκτη και της ζώνης σθένους.Το επίπεδο Fermi βρίσκεται μεταξύ του επιπέδου ενέργειας του δότη και της ζώνης αγωγιμότητας.
Κίνηση μεταφορέων πλειοψηφίαςΟι πλειοψηφικοί μεταφορείς μετακινούνται από υψηλότερο σε χαμηλότερο δυναμικό.Οι πλειοψηφικοί μεταφορείς μετακινούνται από χαμηλότερο σε υψηλότερο δυναμικό.

Ο ημιαγωγός τύπου ρ σχηματίζεται όταν τοΤριφασική πρόσμειξη προστίθεται στον καθαρό ημιαγωγό. Παρομοίως, όταν προστίθεται μία πενταετής πρόσμειξη στον ημιαγωγό τύπου ημιαγωγού τύπου η, λαμβάνεται.

Διαφορά μεταξύ p-Type και n-Type Semiconductor

  • Σε ένα ημιαγωγό τύπου ρ, το στοιχείο της ομάδας III του περιοδικού πίνακα προστίθεται ως στοιχείο ντόπινγκ, ενώ στον τύπο η το στοιχείο ομάδας V είναι το στοιχείο ντόπινγκ.
  • Τριφασική πρόσμειξη όπως το αργίλιο, το γάλλιο και τοΤο ίνδιο προστίθεται στον ημιαγωγό τύπου ρ, ενώ σε ημιαγωγό τύπου ν προστίθενται πεντασθενείς ακαθαρσίες όπως το αρσενικό, το αντιμόνιο, ο φωσφόρος, το βισμούθιο, κλπ.
  • Η πρόσμειξη που προστίθεται σε ημιαγωγό τύπου ρ παρέχει επιπλέον τρύπες γνωστές ως άτομα Acceptor, ενώ η πρόσμειξη ημιαγωγού τύπου ν-τύπου παρέχει επιπλέον ηλεκτρόνια και ονομάζεται άτομο δότη.
  • Σε ένα ημιαγωγό τύπου ρ, οι πλειοψηφικοί φορείς είναι τρύπες και οι φορείς της μειονότητας είναι ηλεκτρόνια. Στον ημιαγωγό τύπου η, τα ηλεκτρόνια είναι φορείς πλειοψηφίας και οι οπές είναι φορείς της μειοψηφίας.
  • Η πυκνότητα των ηλεκτρονίων είναι πολύ μεγαλύτερη από την πυκνότητα οπών στον ημιαγωγό τύπου η που υποδηλώνεται ως nμι >> nh ενώ στον ημιαγωγό τύπου ρ η πυκνότητα της οπής είναι πολύ μεγαλύτερη από την πυκνότητα ηλεκτρονίων nh >> nμι.
  • Σε ημιαγωγό τύπου ν, το επίπεδο ενέργειας του δότηείναι κοντά στη ζώνη αγωγιμότητας και μακριά από τη ζώνη σθένους. Στον ημιαγωγό τύπου ρ, το επίπεδο ενέργειας δέκτη είναι κοντά στη ζώνη σθένους και μακριά από τη ζώνη αγωγιμότητας.
  • Το επίπεδο Fermi του ημιαγωγού η-τύπου βρίσκεταιμεταξύ της ενεργειακής στάθμης του δότη και της ζώνης αγωγιμότητας, ενώ το επίπεδο Fermi του ημιαγωγού τύπου ρ βρίσκεται μεταξύ του επιπέδου ενέργειας δέκτη και της ζώνης σθένους.
  • Οι πλειοψηφικοί μεταφορείς κινούνται από υψηλότερο σε χαμηλότερο δυναμικό σε τύπο p, ενώ, σε τύπο n, οι πλειοψηφικοί μεταφορείς κινούνται από το χαμηλότερο στο υψηλότερο δυναμικό.
Επίσης, διαβάστε: