PN-liitoksen ja Zener-diodin välinen ero
Suurin ero PN-liitoksen ja Zener-diodin välillä on PN-liitosdiodi mahdollistaa virran kulkea vain eteenpäin, kun taas Zener-diodi sallii nykyinen virtaa molemmat f: ssätaaksepäin ja päinvastoin suunta. Muut erot PN-liitoksen ja Zener-diodin välillä on esitetty vertailukaaviossa.
Ja PN-liitosdiodi käytetään oikaisua koska se mahdollistaa virran virtauksenvain yhteen suuntaan. Se on tyyppi kytkin, joka sallii vain eteenpäin kulkevan virran kulkea sen läpi. Toisaalta Zener-diodi sallii sekä eteenpäin että taaksepäin virran kulkea sen läpi. Zener-diodi käytetään a jännitteensäädin elektroniikkapiirissä, koska se aikaansaa vakion jännitteen kuormituksesta, jonka jännite vaihtelee riittävästi.
Sisältö: PN-liitos Vs Zener -diodi
Vertailukaavio
| Vertailun peruste | PN-liitosdiodi | Zener Diode |
|---|---|---|
| Määritelmä | Se on puolijohde-diodi, joka johtaa vain yhteen suuntaan, eli eteenpäin. | Diodia, joka sallii virran kulkua sekä suunnassa, eli eteenpäin ja taaksepäin, tällaista diodia kutsutaan Zener-diodiksi. |
| Symboli |  |  |
| Käänteinen nykyinen vaikutus | Risteyksen vaurioituminen. | Älä vahingoita risteystä. |
| Dopingin taso | Matala | Korkea |
| Hajota | Toimii korkeammassa jännitteessä. | Pienempi jännite. |
| Ohmilaki | Totella | Älä totella. |
| Sovellukset | Korjausta varten | Jännitteenvakaaja, moottorin suojaus ja aaltomuodostus. |
PN-liitosdiodin määritelmä
PN-liitosdiodi koostuu puolijohtimestamateriaalia. Se suoritetaan aina yhdessä suunnassa ja sitä käytetään siis oikaisuun. PN-liitosdiodissa on kaksi päätettä, nimittäin anodi ja katodi. Virta virtaa anodista katodiin.
PN-liitosdiodi johtaa vain silloin, kun se onkytketty eteenpäin puolueellisesti. PN-liitosdiodin symbolinen esitys on esitetty yllä olevassa kuvassa. Nuolipää edustaa positiivista potentiaalia ja palkki näyttää diodin negatiivisen potentiaalin.
PN-liitosdiodissa on P-tyyppi ja N-tyyppipuolijohdemateriaali, joka on yhdistetty seostusprosessiin. Siten diodin molemmissa päissä on erilaiset ominaisuudet. Elektronit ovat N-tyyppisen materiaalin suurimman varauksen kantajaa, ja reiät ovat p-tyypin puolijohdemateriaalin enemmistökuormakantoa. Alue, jossa sekä p-tyypin että n-tyyppinen materiaali täyttää, tunnetaan tyhjennysalueena. Tällä alueella ei ole vapaita elektroneja, koska elektronit ja reiät yhdistyvät toisiinsa tällä alueella.
Purkautumisalue on hyvin ohut, ja se onei anna virran kulkea sen läpi. PN-liitos alkaa suorittaa, kun eteenpäin suuntautuvaa esijännitystä käytetään koko risteyksessä. Eteenpäin suuntautuva esijännitys tarkoittaa, että P-tyypin materiaali on kytketty akun positiiviseen napaan ja N-tyyppinen materiaali on kytketty negatiiviseen syöttöön.
Edessä oleva puolueellinen luo sähkökentänjoka vähentää PN-liitosdiodin tyhjennysaluetta. Kun potentiaalinen este on täysin pienentynyt, se muodostaa johtavan reitin virran virtaukselle. Täten suuri virta alkaa virrata, ja tätä virtaa kutsutaan eteenpäin suunnatuksi virraksi.
Määritelmä Zener Diode
Zener-diodi koostuu pii-materiaalista. Se on erityinen diodityyppi, joka toimii hajoamisalueella. Se antaa virran virrata sekä eteenpäin että päinvastaisessa suunnassa, kun Zener-jännite saavutetaan. Zener-diodi valmistetaan erittäin seostetulla p-tyypillä ja n-tyypin materiaalilla, ts. Ionin pitoisuus on materiaalissa suurempi.
Kun käänteinen jännite syötetäänmateriaali, tyhjennyskerros vähenee. Ohut tyhjennysalueen vuoksi sähkökentän pitoisuus on suuri. Jos käänteisen jännitteen arvo kasvaa, ionit tulevat ulos elektroneista ja tekevät tyhjennysalueen johtavaksi. Tätä tyhjennysalueen hajoamista kutsutaan Zenerin hajoamiseksi ja jännitteeksi, jossa hajoaminen tapahtuu Zener-jännitteenä.
Keskeiset erot PN-risteyksessä ja Zener-diodissa
Seuraavassa ovat keskeiset erot PN-liitoksen ja Zener-diodin välillä.
- Puolijohdetta, joka toimii vain yhdessä suunnassa, kutsutaan PN-liitosdiodiksi. Ja Zener-diodi on piidiodiodi, joka on optimoitu toimimaan hajoamisalueella.
- Käänteinen virta kulkee diodivahingon läpiPN-liitosdiodit. Käänteinen virta virtaa diodin läpi, kun se on kytketty taaksepäin. Käänteinen esijännitys tarkoittaa, että p-tyyppinen materiaali on kytketty syöttölaitteen negatiiviseen napaan ja n-tyypin materiaali on kytketty syöttöjännitteen positiiviseen napaan. Mutta Zener-diodi sallii virran kulkevan sekä suunnan läpi.
- PN-liitosdiodin dopingitaso on alhainenverrattuna Zener-diodiin. Purkautumisalueen leveys riippuu niiden dopingitasosta. Jos diodin dopingitaso on korkea, niiden tyhjennysalue on alhainen ja päinvastoin.
- PN-liitosdiodin hajoaminen tapahtuu korkeallajännitetaso, kun taas PN-liitosdiodissa se esiintyy matalajännitteisellä tasolla. Hajoaminen on ilmiö, joka tekee tyhjennysalueen johtavaksi. Raskaasti seostetulla diodilla on alhainen tyhjennysalue.
- PN-risteys noudattaa ohmin lakia, kun taas Zenerdiodi ei noudata ohmin lakia. Ohmi-laki sanoi, että jännite ulottuu diodin yli on yhtä suuri kuin diodien läpi käytetyn virran ja vastuksen tuote.
- PN-liitosdiodia käytetään pääasiassa korjaustarkoituksiin, kun taas Zener-diodia käytetään vakiopaineen aikaansaamiseksi kuormitukseen, jonka jännite vaihtelee.
johtopäätös
PN-liitosdiodi ja Zener-diodi molemmatkoostuvat puolijohdemateriaalista. Niitä erottaa niiden nykyinen johtavuus. PN-liitos on kevyesti seostettu ja sillä on suuri tyhjennysalue, joka eliminoidaan vain eteenpäin suuntautuvalla esijännityksellä. Ja Zener-diodi on voimakkaasti seostettu ja siinä on ohut tyhjennys, mikä tekee niiden johtavuudesta helppoa myös matalalla esijännityksellä.
