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Différence entre le biais direct et inverse

Une des différences majeures entre la polarisation directe et inverse est que, dans la polarisation directe, la borne positive de la batterie est connecté au semi-conducteur de type p matériel et la borne négative est connecté au semi-conducteur de type n Matériel. Considérant qu'en biais inverse le matériau de type n est connecté au borne positive de l'offre et la matériau de type p est connecté au borne négative de la batterie. La polarisation directe et inverse est différenciée ci-dessous dans le tableau de comparaison.

La polarisation signifie que l'alimentation électrique ou la différence de potentiel est connectée au dispositif à semi-conducteur. La différence de potentiel est de deux types, à savoir le biais direct et le biais inverse.

le polarisation directe réduit la barrière de potentiel de la diode et établit un chemin facile pour la circulation du courant. Pendant que dans biais inverse la différence de potentiel augmente la forcede la barrière empêchant le porteur de charge de se déplacer à travers la jonction. La polarisation inverse fournit le chemin de haute résistance au flux de courant, et par conséquent, aucun courant ne circule dans le circuit.

Contenu: Polarisation directe vs polarisation inverse

  1. Tableau de comparaison
  2. Définition
  3. Différences Clés

Tableau de comparaison

Base de comparaison Polarisation en avant Biais inverse
DéfinitionLa tension externe qui est appliquée à travers la diode PN pour réduire la barrière de potentiel constitue la facilité de passage du courant à travers celle-ci est appelée polarisation directe.La tension externe appliquée à la jonction PN pour renforcer la barrière de potentiel et empêcher le courant de la traverser est appelée polarisation inverse.
symbole
symbole de biais en avant
biais inverse
Lien La borne positive de la batterie est connectée au semi-conducteur de type P de l'appareil et la borne négative est connectée à un semi-conducteur de type N La borne négative de la batterie est connectée à la région P et la borne positive de la batterie est connectée à un semi-conducteur de type N.
Potentiel de barrière Réduit Renforcer
Tension La tension d'une anode est supérieure à celle de la cathode.La tension de la cathode est supérieure à celle d'une anode.
Courant Forward Grand Petit
Couche d'épuisement Mince Épais
La résistance Faible Haute
Flux de courant Permet Empêche
Magnitude du courant Dépend de la tension directe. Zéro
Fonctionner Conducteur Isolant

Définition du biais en avant

En polarisation directe, la tension externe estappliquée à travers la diode de jonction PN. Cette tension annule la barrière de potentiel et fournit le chemin de faible résistance au flux de courant. La polarisation directe signifie que la région positive est connectée à la borne p de l'alimentation et que la région négative est connectée au type n du dispositif.

circuit de polarisation directe

La tension de barrière potentielle est très faible(près de 0,7 V pour le silicium et 0,3 V pour la jonction au germanium), de sorte que très peu de tension est requise pour l'élimination complète de la barrière. L'élimination complète de la barrière constitue le chemin à faible résistance pour la circulation du courant. Ainsi, le courant commence à circuler dans la jonction. Ce courant est appelé courant aval.

Définition du biais inverse

En polarisation inversée, la région négative est connectéeà la borne positive de la batterie et la région positive est connectée à la borne négative. Le potentiel inverse augmente la résistance de la barrière de potentiel. La barrière potentielle résiste au flux de porteurs de charge à travers la jonction. Il crée un chemin à haute résistance dans lequel aucun courant ne circule dans le circuit.

circuit de polarisation inverse

Différences clés entre le biais direct et inverse

  1. Le biais en avant réduit la force de labarrière de potentiel grâce à laquelle le courant se déplace facilement à travers la jonction alors que la polarisation inverse renforce la barrière de potentiel et bloque le flux du porteur de charge.
  2. En polarisant en direct la borne positive dula batterie est connectée à la région p et la borne négative est connectée au matériau de type n tandis qu'en polarisation inverse la borne positive de l'alimentation est connectée au matériau de type n et la borne négative est connectée au matériau de type p de l'appareil.
  3. La polarisation directe établit le champ électrique à travers le potentiel, ce qui réduit la résistance de la barrière de potentiel, tandis que la polarisation inverse augmente la résistance de la barrière de potentiel.
    • Remarque - La barrière de potentiel est la couche entre la diode à jonction PN qui limite le mouvement des électrons à travers la jonction.
  4. En polarisation directe, la tension de l'anode est supérieure à celle de la cathode alors qu'en polarisation inverse, la tension de la cathode est supérieure à celle de l'anode.
  5. Le courant direct est important, alors que le courant inverse est très faible.
    • Remarque - Le courant dans la diode lorsque le flux dans le sens direct est appelé courant direct.
  6. La couche d'appauvrissement de la diode est très mince en polarisation directe et épaisse en polarisation inverse.
    • Remarque - La couche d'appauvrissement est la région autour de la jonction dans laquelle les porteurs de charge libres sont épuisés.
  7. La polarisation directe diminue la résistance de la diode, tandis que la polarisation inverse augmente la résistance de la diode.
  8. En polarisation directe, le courant circule facilement dans le circuit, alors que la polarisation inverse ne permet pas au courant de la traverser.
  9. En polarisation directe, l'intensité du courant dépend de la tension directe, tandis qu'en polarisation inverse, l'intensité du courant est très faible ou négligeable.
  10. En polarisation directe, le dispositif fonctionne comme un conducteur tandis qu'en polarisation inverse, le dispositif agit comme isolant.

La tension directe de la diode au silicium est de 0,7 volts et la tension directe du germanium est de 0,3 volts.

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