NPN tranzistors
Definīcija: Transistors, kurā viens p-veida materiāls atrodas starp diviem n-veida materiāliem, ir pazīstams kā NPN tranzistors. NPN tranzistors pastiprina vāju signālu ieiet pamatnē un rada spēcīgus pastiprinājuma signālus kolektora galā. NPN tranzistora virzienā elektrona kustība ir no emitētājs kolektoram reģionu, kura dēļ pašreizējā vērtība irtranzistors. Šāda veida tranzistors lielākoties tiek izmantots ķēdē, jo to lielākā daļa maksas nesēju ir elektroni, kuriem ir augsta mobilitāte salīdzinājumā ar caurumiem.
NPN tranzistora būvniecība
NPN tranzistoram ir divas atpakaļ diodesatpakaļ. Diodi kreisajā pusē sauc par emitenta pamatdiodi, un kreisajā pusē esošās diodes sauc par kolektora-pamatdiodi. Šie nosaukumi ir norādīti kā termināļu nosaukums.
NPN tranzistora shēma
NPN tranzistora shēma irattēlā. Kolektors un bāzes ķēde ir savienoti pretējā slīpumā, kamēr emitents un bāzes ķēde ir savienoti uz priekšu. Kolektors vienmēr ir savienots ar pozitīvo padevi, un bāze ir negatīva, lai kontrolētu tranzistora ON / OFF stāvokļus.
NPN tranzistora darbība
NPN tranzistora shēma irattēlā. Uz priekšu vērstais slīpums tiek pielietots visā emittera bāzes krustojumā, un apgrieztā neobjektīva tiek pielietota visā kolektora-bāzes savienojumā. Priekšējais slīpais spriegums VEB ir mazs, salīdzinot ar apgriezto spriegumu VCB.
NPN tranzistors ir stipri dopēts. Kad emitents tiek piemērots uz priekšu, vairākuma maksas pārvadātāji virzās uz bāzi. Tas izraisa emisijas strāvu IE. Elektroni nonāk P veida materiālā un apvienojas ar caurumiem.
NPN tranzistora pamatne ir viegli dopota. Sakarā ar to, ka tikai daži elektroni tiek apvienoti un atlikušie veido bāzes strāvu IB. Šī bāzes strāva ienāk kolektorānovads. Kolektora apgabala apgrieztā slīpuma potenciāls izmanto augsto pievilcīgo spēku uz elektroniem, kas sasniedz kolektora krustojumu. Tādējādi piesaistīt vai savākt elektronus kolektorā.
Visa emitētāja strāva tiek ievadīta bāzē. Tādējādi varam teikt, ka emitētāja strāva ir kolektora vai bāzes strāvas summa.
